Les composants de puissance hyperfréquences ont permis de remplacer sur un radar ou un brouilleur l’antenne à balayage mécanique et le tube hyperfréquences de puissance par un ensemble de «modules actifs».

Ces modules de puissance actifs présentent de multiples avantages : plus de mécanismes, plus de hautes tensions et fiabilité améliorée.

Ces modules actifs ont aussi la capacité à modeler le diagramme de rayonnement en fonction du besoin, par exemple en cas de brouillage. 

La réalisation d’antennes actives suppose cependant que l’on dispose d’amplificateurs état solide à fort niveau de puissance.

La voie des transistors large bande AsGa [1]  dans les années quatre-vingt, a permis d’obtenir les performances nécessaires pour réaliser des brouilleurs de l’avion Rafale à état solide.

Dans les années quatre-vingt-dix, les amplificateurs de puissance AsGa en technologie HBT [2] développée au LCR, ont atteint des niveaux de puissance permettant au radar du Rafale d’atteindre des performances à l’état de l’art.

De nouveaux composés III/V [3] tels que les Nitrures de Gallium développés au 3-5 Lab [4], vont permettre des gains de puissance des modules actifs dans un rapport de 3 à 5 au bénéfice des performances des radars aéroportés de nouvelle génération. 

[1] L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs III-V. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende).

[2] Le transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) est un type de transistor à jonction bipolaire (BJT) qui utilise des matériaux semi-conducteurs différents pour les régions d'émetteur et de base, créant une hétérojonction. 

[3] Les semi-conducteurs III-V sont des matériaux composés d’un ou plusieurs éléments de la colonne III (bore, gallium, aluminium, indium, etc.) et de la colonne V (arsenic, antimoine, phosphore, etc.) du tableau périodique de Mendeleïev, tels que l’arséniure de gallium, arséniure d'indium, nitrure de gallium, antimoniure de gallium, phosphure de bore ou des alliages ternaires tels que InxGa1-xAs

[4] Voir article Usine Nouvelle Le III-V Lab, berceau de l’électronique stratégique